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氮化硅的氧化机制研究

来源期刊：宇航材料工艺2010年第1期

论文作者：欧东斌俞继军姜贵庆陈思员

关键词：抗氧化; 氮化硅; 转捩温度; Oxidation mechanism; Silicon nitride; Transition temperature;

摘要：研究了氮化硅的氧化机制以及被动氧化至主动氧化的转捩温度,并结合试验结果做了分析.结果表明氮化硅在高温下极易炸裂,在被动氧化机制下生成氮气和SiO_2薄膜,转捩温度和碳化硅材料基本一致.

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欧东斌¹，俞继军¹，姜贵庆¹，陈思员¹

(1.中国航天空气动力技术研究院,北京,100074)

摘要:研究了氮化硅的氧化机制以及被动氧化至主动氧化的转捩温度,并结合试验结果做了分析.结果表明氮化硅在高温下极易炸裂,在被动氧化机制下生成氮气和SiO_2薄膜,转捩温度和碳化硅材料基本一致.

关键词:抗氧化; 氮化硅; 转捩温度; Oxidation mechanism; Silicon nitride; Transition temperature;

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