氮化ZnO/Ga2O3薄膜合成GaN纳米管
来源期刊：材料科学与工艺2007年第1期
论文作者：董志华 王书运 庄惠照 何建廷 薛成山 高海永
关键词：GaN纳米管; ZnO/Ga2O3薄膜; 射频磁控溅射; 氮化;
摘 要：利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.
董志华1，王书运1，庄惠照1，何建廷1，薛成山1，高海永1
(1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3 薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方法制备的GaN具有沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿结构.利用傅里叶红外光谱(FTIR)研究了所制备样品的光学性质.利用透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)观测了样品的形貌和晶格结构.
关键词:GaN纳米管; ZnO/Ga2O3薄膜; 射频磁控溅射; 氮化;
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