纳米镍修饰的氧化铜掺杂的异戊巴比妥电化学传感器制备与应用
来源期刊:分析试验室2015年第5期
论文作者:黄学艺 余会成 韦贻春 李浩 雷福厚 谭学才 米丹丹 吴海鹰
文章页码:510 - 514
关键词:异戊巴比妥;马来松香丙烯酸乙二醇酯;纳米氧化铜;纳米镍;电化学传感器;
摘 要:先将合成的纳米镍修饰裸玻碳电极,再在修饰电极表面热聚合一种以甲基丙烯酸为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂、纳米氧化铜掺杂的异戊巴比妥分子印迹敏感膜。研究了印迹电极的最佳成膜条件及其最佳实验条件。采用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的电化学性能进行表征。使用红外光谱和扫描电镜分别探究此印迹敏感膜的结构及表面形貌。在最佳实验条件下,以K3Fe(CN)6为分子探针的差分脉冲伏安法(DPV)峰电流响应值与异戊巴比妥的浓度在6.5×10-81.8×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9986);检出限为1.1×10-9mol/L(S/N=3)。传感器能用于猪肉中残留异戊巴比妥的检测,加标回收率在96.5%103.2%之间。
黄学艺1,余会成1,韦贻春1,李浩1,雷福厚1,谭学才1,米丹丹1,吴海鹰2
1. 广西民族大学化学化工学院广西林产化学与工程重点实验室广西高校食品安全与药物分析化学重点实验室2. 广州有色金属研究院
摘 要:先将合成的纳米镍修饰裸玻碳电极,再在修饰电极表面热聚合一种以甲基丙烯酸为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂、纳米氧化铜掺杂的异戊巴比妥分子印迹敏感膜。研究了印迹电极的最佳成膜条件及其最佳实验条件。采用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的电化学性能进行表征。使用红外光谱和扫描电镜分别探究此印迹敏感膜的结构及表面形貌。在最佳实验条件下,以K3Fe(CN)6为分子探针的差分脉冲伏安法(DPV)峰电流响应值与异戊巴比妥的浓度在6.5×10-81.8×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9986);检出限为1.1×10-9mol/L(S/N=3)。传感器能用于猪肉中残留异戊巴比妥的检测,加标回收率在96.5%103.2%之间。
关键词:异戊巴比妥;马来松香丙烯酸乙二醇酯;纳米氧化铜;纳米镍;电化学传感器;