真空退火对热蒸发纳米Cu薄膜性能的影响

来源期刊：材料保护2018年第8期

论文作者：张明朝 汪林文 李玲 陈艳 张祥 蔡金阳 陈卫东 李玲

文章页码：86 - 89

关键词：纳米Cu薄膜;热蒸发法;导电性能;表面形貌;晶体结构;

摘    要：退火是提高薄膜材料耐温性及导电性的重要手段。采用热蒸发法在载玻片上沉积厚约132 nm的Cu薄膜,再分别在100,200,300,400,500℃对薄膜进行退火处理,得到不同温度退火的纳米Cu薄膜;用原子力显微镜、四探针电阻测试仪和X射线衍射仪研究了退火温度对纳米Cu薄膜表面形貌、导电性能和晶体结构的影响。结果表明:当退火温度在500℃以下时,纳米Cu薄膜表面粗糙度和颗粒直径随着温度升高而增大,当温度到达500℃时突然减小; Cu薄膜的方块电阻随退火温度的升高呈降低趋势,薄膜的变异系数则出现先减小后增大的现象,当温度为300℃时变异系数最小;随着退火温度的升高,Cu薄膜的Cu(111)和Cu(200)晶面衍射峰越来越明显。