AlN与Mo-Ni-Cu活性封接的微观结构和性能分析
来源期刊：无机材料学报2009年第3期
论文作者：秦明礼 张小勇 陆艳杰 曲选辉 张玲艳
关键词：Ti-Ag-Cu活性焊料; 活性封接; 微观分析; 封接性能;
摘 要：AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98(Ag28Cu)2Ti活性焊料, 在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XRD方法研究了焊接区域以及剪切试样断裂表面的微观结构和相组成,测定了焊区的力学性能和气密性.研究结果显示:在AlN陶瓷界面上有TiN生成,说明陶瓷与焊料之间是一种化学键合,而在Mo-Ni-Cu合金的界面上有少量的Ni-Ti金属间化合物存在.剪切后试样的断裂面上有TiN和AlN,说明断裂发生在靠近陶瓷的焊层区域.焊接试样性能优良:气密性达到1.0×10-11Pa·m3/s,平均抗弯强度σb=78.55MPa,剪切强度στ=189.58MPa.
秦明礼1，张小勇2，陆艳杰2，曲选辉1，张玲艳1
(1.北京科技大学,粉末冶金研究所,北京,100083;
2.北京有色金属研究院,北京,100088)
摘要:AlN陶瓷是一种性能优良的电子封装材料,但不容易与金属直接连接在一起.实验采用98(Ag28Cu)2Ti活性焊料, 在真空条件下实现了AlN陶瓷与Mo-Ni-Cu合金的活性封接.利用EBSD、EDS、XRD方法研究了焊接区域以及剪切试样断裂表面的微观结构和相组成,测定了焊区的力学性能和气密性.研究结果显示:在AlN陶瓷界面上有TiN生成,说明陶瓷与焊料之间是一种化学键合,而在Mo-Ni-Cu合金的界面上有少量的Ni-Ti金属间化合物存在.剪切后试样的断裂面上有TiN和AlN,说明断裂发生在靠近陶瓷的焊层区域.焊接试样性能优良:气密性达到1.0×10-11Pa·m3/s,平均抗弯强度σb=78.55MPa,剪切强度στ=189.58MPa.
关键词:Ti-Ag-Cu活性焊料; 活性封接; 微观分析; 封接性能;
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