SU-8胶制备三维微电极结构研究
来源期刊:功能材料2011年第S4期
论文作者:文春明 尤政 温志渝 王晓峰 陈李
文章页码:681 - 684
关键词:三维微结构;SU-8光刻胶;高深宽比;超级电容器;MEMS;
摘 要:为了增大MEMS超级电容器电极结构的表面积,提高MEMS超级电容器的电荷存储能力,研究了利用SU-8胶制备高深宽比三维电极微结构。经过基片清洗、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜等过程,制备了深宽比为6的微结构。分析讨论了微结构制备过程中基底洁净度和升降温速度及曝光、显影时间等因素对结构制备的影响。实验结果表明,用SU-8胶制备高深宽三维电极微结构,能在相同底面积的基础上有效增加电极结构的表面积,提高单位底面积的电容器储能密度。
文春明1,2,尤政3,温志渝1,2,王晓峰3,陈李1,2
1. 新型微纳器件与系统技术国家重点学科实验室2. 重庆大学微系统中心3. 清华大学精密仪器与机械学系
摘 要:为了增大MEMS超级电容器电极结构的表面积,提高MEMS超级电容器的电荷存储能力,研究了利用SU-8胶制备高深宽比三维电极微结构。经过基片清洗、涂胶、前烘、曝光、后烘、显影、坚膜等过程,制备了深宽比为6的微结构。分析讨论了微结构制备过程中基底洁净度和升降温速度及曝光、显影时间等因素对结构制备的影响。实验结果表明,用SU-8胶制备高深宽三维电极微结构,能在相同底面积的基础上有效增加电极结构的表面积,提高单位底面积的电容器储能密度。
关键词:三维微结构;SU-8光刻胶;高深宽比;超级电容器;MEMS;