β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质
来源期刊：功能材料2006年第3期
论文作者：史宏生 裴广庆 徐悟生 夏长泰 吴锋 邓群 徐军 张俊刚
关键词：浮区法; 宽禁带半导体; β-Ga2O3单晶;
摘 要：用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.
史宏生1，裴广庆2，徐悟生1，夏长泰2，吴锋2，邓群1，徐军2，张俊刚2
(1.通用电气中国研究开发中心有限公司,上海,201203;
2.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;
3.中国科学院,研究生院,北京100039)
摘要:用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.
关键词:浮区法; 宽禁带半导体; β-Ga2O3单晶;
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