(Mg4-xZnx)Ta2O9微波陶瓷的结构和介电性能
来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2017年第3期
论文作者：孔树 程立金 刘绍军
文章页码：354 - 359
关键词：微波陶瓷;掺杂;晶体结构;介电性能;
摘 要：结合高能球磨法技术,采用传统固态反应法制备了Zn掺杂Mg4Ta2O9基单相刚玉结构微波陶瓷。在XRD、SEM、Raman等晶体结构及微观形貌的系统表征和微波性能测试的基础上,开展了Zn掺杂Mg4Ta2O9基微波陶瓷的结构和性能相互作用的研究。结果表明,在x=00.8范围内,Zn能够固溶进入Mg4Ta2O9基体而形成单相刚玉结构(Mg4-xZnx)Ta2O9陶瓷。XRD精修结果进一步显示,Zn掺杂可导致Mg4Ta2O9陶瓷中氧八面体的扭转畸变。拉曼光谱结果显示,Zn掺杂使Mg（Zn）—O键之间的振动减弱。而Zn取代Mg使Mg（Zn）—O键长变长和键能减弱是未掺杂Mg4Ta2O9陶瓷的品质因子从169 074 GHz下降到(Mg3.2Zn0.8)Ta2O9陶瓷的68 173 GHz的关键因素。
孔树，程立金，刘绍军
中南大学粉末冶金国家重点实验室
摘 要：结合高能球磨法技术,采用传统固态反应法制备了Zn掺杂Mg4Ta2O9基单相刚玉结构微波陶瓷。在XRD、SEM、Raman等晶体结构及微观形貌的系统表征和微波性能测试的基础上,开展了Zn掺杂Mg4Ta2O9基微波陶瓷的结构和性能相互作用的研究。结果表明,在x=00.8范围内,Zn能够固溶进入Mg4Ta2O9基体而形成单相刚玉结构(Mg4-xZnx)Ta2O9陶瓷。XRD精修结果进一步显示,Zn掺杂可导致Mg4Ta2O9陶瓷中氧八面体的扭转畸变。拉曼光谱结果显示,Zn掺杂使Mg（Zn）—O键之间的振动减弱。而Zn取代Mg使Mg（Zn）—O键长变长和键能减弱是未掺杂Mg4Ta2O9陶瓷的品质因子从169 074 GHz下降到(Mg3.2Zn0.8)Ta2O9陶瓷的68 173 GHz的关键因素。
关键词：微波陶瓷;掺杂;晶体结构;介电性能;
