用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第3期
论文作者：葛永才 刘焕章 刘忠立 宁瑾
关键词：氧化多孔硅; 牺牲层; 悬空微结构; 阳极氧化;
摘 要：提出一种新的牺牲层工艺.先将阳极氧化生成的多孔硅在 300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在 700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅.用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性.实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构.
葛永才1，刘焕章1，刘忠立1，宁瑾1
(1.中国科学院半导体研究所微电子中心,传感技术国家重点实验室,北京,100083)
摘要:提出一种新的牺牲层工艺.先将阳极氧化生成的多孔硅在 300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构,然后将其在 700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅.用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料,既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点,又克服了多孔硅在释放时的局限性.实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构.
关键词:氧化多孔硅; 牺牲层; 悬空微结构; 阳极氧化;
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