添加Ta2O5对NiCuZn铁氧体显微结构及磁性能的影响
来源期刊:无机材料学报2014年第6期
论文作者:孙科 李垚 杨艳 兰中文 余忠 郭荣迪
文章页码:633 - 638
关键词:NiCuZn铁氧体;Ta2O5添加剂;显微结构;高频损耗;
摘 要:采用固相反应法制备添加Ta2O5的NiCuZn铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对NiCuZn铁氧体显微结构,静磁性能和高频损耗的影响。结果表明:Ta2O5具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用,可降低材料的烧结密度。随着Ta2O5含量的增加,样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小,矫顽力则逐渐增大,截止频率逐渐升高,而高频损耗呈先降低后增加的趋势,其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta2O5含量为0.12wt%时,样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小,为139 mW/cm3,其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm3和46 mW/cm3。
孙科1,李垚1,杨艳2,兰中文1,余忠1,郭荣迪1
1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室2. 成都工业学院通信工程系
摘 要:采用固相反应法制备添加Ta2O5的NiCuZn铁氧体,研究了不同Ta2O5含量对NiCuZn铁氧体显微结构,静磁性能和高频损耗的影响。结果表明:Ta2O5具有细化NiCuZn铁氧体晶粒的作用,可降低材料的烧结密度。随着Ta2O5含量的增加,样品的饱和磁感应强度和起始磁导率单调减小,矫顽力则逐渐增大,截止频率逐渐升高,而高频损耗呈先降低后增加的趋势,其主导因素由剩余损耗逐渐过渡到磁滞损耗。当Ta2O5含量为0.12wt%时,样品在3 MHz、10 mT、100℃下总损耗最小,为139 mW/cm3,其中磁滞损耗和剩余损耗分别为93 mW/cm3和46 mW/cm3。
关键词:NiCuZn铁氧体;Ta2O5添加剂;显微结构;高频损耗;