一个特殊单滑移取向铜单晶疲劳位错结构研究

周杨¹，李小武^1,2，张广平³，张哲峰³

1. 东北大学理学院材料物理与化学研究所2. 东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室3. 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室

摘 要：为了更细致地揭示面心立方金属单晶体的循环变形机制,利用扫描电镜电子通道衬度（SEM-ECC）技术观察研究了Schmid因子为0.5的[41841]单滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.实验表明,在单滑移铜单晶体中,胞结构除了在高应变幅下的循环变形中出现外,还可能出现在循环应力-应变（CSS）曲线平台区的较低塑性应变幅下.驻留滑移带（PSBs）会随应变幅的增大而在试样表面聚集成内部含有位错胞的粗滑移带,带内的位错胞结构被认为是由于带内滑移阻力增大引起的应变集中所致形成的.此外,CSS曲线高应变幅区起始部分对应的循环饱和位错结构观察揭示出迷宫结构和胞结构是由PSBs逐渐演变而成的.

关键词：铜单晶;循环变形;位错结构;SEM-ECC;驻留滑移带PSBs;