简介概要

BJMOSFET 静态特性的解析模型及模拟分析

来源期刊：功能材料与器件学报2001年第2期

论文作者：樊卫盛霞曾云颜永红龚磊成世明金湘亮

关键词：BJMOSFET; 静态特性; PSPICE; 模拟;

摘要：建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比，电流密度提高 30％～ 40％。

详情信息展示

樊卫¹，盛霞¹，曾云¹，颜永红¹，龚磊¹，成世明¹，金湘亮²

(1.湖南大学应用物理系 ,;
2.中国科学院微电子中心;
3.湖南大学应用物理系)

摘要:建立了新型半导体功率器件—双极型压控晶体管（ BJMOSFET）的直流解析模型，通过提取模型参数，运用电路模拟软件 PSPICE的多瞬态分析法对 BJMOSFET的直流特性进行了模拟，分析得出这种新型器件在相同结构参数和同等外界条件下与传统 MOSFET相比，电流密度提高 30％～ 40％。

关键词:BJMOSFET; 静态特性; PSPICE; 模拟;

【全文内容正在添加中】