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图形化硅纳米线阵列的制备

来源期刊：功能材料与器件学报2009年第6期

论文作者：张健万丽娟龚文莉

关键词：硅纳米线; 选择性生长; 图形化; silicon nanowires; selective formation; patterning;

摘要：本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.

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张健¹，万丽娟¹，龚文莉¹

(1.华东师范大学信息学院电子系,传感技术国家重点实验室,上海200241)

摘要:本文主要研究了在常态(常温、常压等)条件下,利用金属催化化学腐蚀方法在硅片表面上大面积制备排列整齐、取向一致的硅纳米线阵列.同时,出于对后续制作硅纳米线传感器考虑,利用微电子标准加工工艺,以氮化硅做掩膜,通过选择合适的实验参数,在硅片表面选择性生长纳米线阵列,得到图形化的硅纳米线阵列.

关键词:硅纳米线; 选择性生长; 图形化; silicon nanowires; selective formation; patterning;

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