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纳米SiO2复合对铝合金表面微弧氧化层生长动力学的影响

来源期刊:航空材料学报2012年第1期

论文作者:马世宁 索相波 邱骥 朱海燕

文章页码:68 - 71

关键词:铝合金;微弧氧化;纳米复合;生长动力学;掺杂;

摘    要:通过在微弧氧化电解液中添加纳米SiO2颗粒配制纳米电解液,在铝合金表面制备了纳米复合微弧氧化层,考察了恒电压和恒电流两种模式下纳米SiO2复合对微弧氧化层生长动力学的影响。结果表明,恒电压模式下,纳米SiO2复合大幅度提高了生长电流和微弧氧化层生长速率;恒电流模式下,纳米SiO2复合提高了微弧氧化层生长速率,电流效率提高。纳米SiO2颗粒在纳米复合微弧氧化层中掺杂,形成杂质能级,并且降低了微弧氧化层材料的禁带宽度,促进了微弧氧化电击穿过程,是纳米SiO2复合促进微弧氧化层生长的主要原因。

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纳米SiO2复合对铝合金表面微弧氧化层生长动力学的影响

马世宁1,索相波2,邱骥1,朱海燕1

1. 装甲兵工程学院装备再制造工程系2. 酒泉卫星发射中心

摘 要:通过在微弧氧化电解液中添加纳米SiO2颗粒配制纳米电解液,在铝合金表面制备了纳米复合微弧氧化层,考察了恒电压和恒电流两种模式下纳米SiO2复合对微弧氧化层生长动力学的影响。结果表明,恒电压模式下,纳米SiO2复合大幅度提高了生长电流和微弧氧化层生长速率;恒电流模式下,纳米SiO2复合提高了微弧氧化层生长速率,电流效率提高。纳米SiO2颗粒在纳米复合微弧氧化层中掺杂,形成杂质能级,并且降低了微弧氧化层材料的禁带宽度,促进了微弧氧化电击穿过程,是纳米SiO2复合促进微弧氧化层生长的主要原因。

关键词:铝合金;微弧氧化;纳米复合;生长动力学;掺杂;

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