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纳米抗静电剂SnO2/TiO2的合成

来源期刊:机械工程材料2004年第6期

论文作者:李玲

关键词:纳米抗静电剂; SnO2/TiO2; 合成; 工艺;

摘    要:通过Sol-Gel法合成SnO2/ TiO2复合纳米抗静电剂,TEM分析和研究表明:抗静电剂粒子大小、分散性与SnCl2浓度、搅拌速度有关;抗静电剂的电阻率大小与SnO2与TiO2的配比有关;抗静电剂的颜色稳定性与原料配比有关.最佳工艺条件为:SnCl2浓度0.85mol/L,SnO2与TiO2的摩尔比为1∶0.1,搅拌速度160r/min.抗静电剂为球形粒子,分散均匀,平均粒径为5nm;粉末为白色,电阻率为0~10Ω·cm.

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纳米抗静电剂SnO2/TiO2的合成

李玲1

(1.暨南大学功能材料研究所,广东广州,510632)

摘要:通过Sol-Gel法合成SnO2/ TiO2复合纳米抗静电剂,TEM分析和研究表明:抗静电剂粒子大小、分散性与SnCl2浓度、搅拌速度有关;抗静电剂的电阻率大小与SnO2与TiO2的配比有关;抗静电剂的颜色稳定性与原料配比有关.最佳工艺条件为:SnCl2浓度0.85mol/L,SnO2与TiO2的摩尔比为1∶0.1,搅拌速度160r/min.抗静电剂为球形粒子,分散均匀,平均粒径为5nm;粉末为白色,电阻率为0~10Ω·cm.

关键词:纳米抗静电剂; SnO2/TiO2; 合成; 工艺;

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