SmCo/Cr薄膜中Cr底层最佳溅射条件的正交设计研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2004年第10期
论文作者：王芳 段静芳 许小红 李震 武海顺 李佐宜
关键词：SmCo/Cr薄膜; 矫顽力; Cr底层; 溅射参数;
摘 要：在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.
王芳1，段静芳1，许小红1，李震2，武海顺1，李佐宜2
(1.山西师范大学,山西,临汾,041004;
2.华中科技大学,湖北,武汉,430074)
摘要:在SmCo/Cr薄膜中,Cr底层的取向结构对薄膜的磁学性能有很大的影响.设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响.用较少的实验得到Cr底层的最佳实验条件:靶基距为4 cm,功率为50 W,溅射气压为0.5 Pa,溅射时间为9 min.并发现了靶基距、功率和溅射气压对薄膜矫顽力的影响较大,其中靶基距是薄膜矫顽力最主要的控制因素.而溅射时间在所取的水平上对薄膜矫顽力的影响最小.本实验设计可达到95%的置信度.
关键词:SmCo/Cr薄膜; 矫顽力; Cr底层; 溅射参数;
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