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铌表面固体粉末包埋渗硅研究

来源期刊：无机材料学报2005年第3期

论文作者：郭占成宋学平李明宋力昕乐军

关键词：渗硅; 涂层; 铌; 二硅化铌;

摘要：采用固体粉末包埋渗硅工艺在铌表面制备了二硅化铌涂层,研究了渗硅过程中Si沉积的反应机理和二硅化铌涂层的结构.结果表明:涂层由单相的二硅化铌组成;Si的输运和沉积主要依靠硅的低氟化物S讯2完成.

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郭占成¹，宋学平¹，李明²，宋力昕²，乐军²

(1.中国科学院过程工程研究所,北京,100080;
2.中国科学院上海硅酸盐研究所特种无机材料研究发展中心,上海,200050)

摘要:采用固体粉末包埋渗硅工艺在铌表面制备了二硅化铌涂层,研究了渗硅过程中Si沉积的反应机理和二硅化铌涂层的结构.结果表明:涂层由单相的二硅化铌组成;Si的输运和沉积主要依靠硅的低氟化物S讯2完成.

关键词:渗硅; 涂层; 铌; 二硅化铌;

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