FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应
来源期刊：金属学报2000年第5期
论文作者：刘宜华 周少雄 刘国栋 张林 刘德镇 萧淑琴
关键词：FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜; 巨磁阻抗效应; 磁畴结构;
摘 要：用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20 min后得到性能优良的巨磁阻抗材料.磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴,靠近边缘,磁畴方向转向横向.这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一.磁阻抗测量表明,样品在13 MHz的频率下,分别获得了63%和77%的纵向和横向磁阻抗比.
刘宜华1，周少雄2，刘国栋2，张林1，刘德镇3，萧淑琴1
(1.山东大学物理系,济南,250100;
2.钢铁研究总院非晶中心,北京,100081;
3.山东工业大学材料科学与工程学院,济南,250061)
摘要:用高频溅射法制备了FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜,经350℃退火20 min后得到性能优良的巨磁阻抗材料.磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴,靠近边缘,磁畴方向转向横向.这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨磁阻抗效应的重要原因之一.磁阻抗测量表明,样品在13 MHz的频率下,分别获得了63%和77%的纵向和横向磁阻抗比.
关键词:FeNiCrSiB/Cu/FeNiCrSiB膜; 巨磁阻抗效应; 磁畴结构;
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