短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压
来源期刊：功能材料与器件学报2008年第4期
论文作者：张国樑 王太宏 曾云 张燕 李晓磊
关键词：短沟道; 绝缘衬底上硅; 双极MOS场效应晶体管; 阈值电压;
摘 要：提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
张国樑1，王太宏1，曾云1，张燕1，李晓磊1
(1.湖南大学物理与微电子科学学院,长沙,410082;
2.空军第一航空学院四系,信阳,464000)
摘要:提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.
关键词:短沟道; 绝缘衬底上硅; 双极MOS场效应晶体管; 阈值电压;
【全文内容正在添加中】
