聚合物前驱体法制备(Ce,Cu)-SnO2纳米粉体及其烧结行为
来源期刊：无机材料学报2004年第1期
论文作者：高濂 陈德良
关键词：聚合物前驱体法; 掺杂SnO2纳米粉体; CeO2-CuO; 烧结;
摘 要：采用聚合物前驱体法制备了CeO2-CuO-doped SnO2纳米粉体,并研究了掺杂SnO2纳米粉体的无压烧结行为.结果表明:乙二醇、柠檬酸与金属离子的摩尔比为6:3:1时制得的掺杂SnO2粉体为分散良好的球形颗粒,大小为～15nm,粒度分布范围窄;CuO掺杂可显著提高SnO2的烧结性能,CeO2-CuO复合掺杂可进一步降低SnO2陶瓷的致密化温度;1.0%CeO2-1.5%CuO-doped SnO2可在1050℃烧结致密,相对密度达96%以上;两步法(先升温到1050℃保温15min,然后降到980℃烧结5h)烧结的1.0%CeO2-1.5%CuO-doped SnO2陶瓷相对密度为96.1%,其晶粒＜800nm.
高濂1，陈德良1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室,上海,200050)
摘要:采用聚合物前驱体法制备了CeO2-CuO-doped SnO2纳米粉体,并研究了掺杂SnO2纳米粉体的无压烧结行为.结果表明:乙二醇、柠檬酸与金属离子的摩尔比为6:3:1时制得的掺杂SnO2粉体为分散良好的球形颗粒,大小为～15nm,粒度分布范围窄;CuO掺杂可显著提高SnO2的烧结性能,CeO2-CuO复合掺杂可进一步降低SnO2陶瓷的致密化温度;1.0%CeO2-1.5%CuO-doped SnO2可在1050℃烧结致密,相对密度达96%以上;两步法(先升温到1050℃保温15min,然后降到980℃烧结5h)烧结的1.0%CeO2-1.5%CuO-doped SnO2陶瓷相对密度为96.1%,其晶粒＜800nm.
关键词:聚合物前驱体法; 掺杂SnO2纳米粉体; CeO2-CuO; 烧结;
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