显微组织对冶金法制备多晶硅电阻率的影响

许富民¹，张伟娜¹，谭毅¹

(1.大连理工大学材料科学与工程学院,三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连,116024)

摘要:利用四探针电阻测试仪、光学显微镜、扫描电镜、电感耦合等离子发射光谱仪、能谱分析等设备,从晶粒尺寸、组织形态以及晶界析出物等对冶金法制备的多晶硅电阻率的影响.结果表明:组织为等轴晶时,电阻率的大小与晶粒大小成正比;在组织为柱状晶时,平行于柱状晶方向的电阻率明显高于垂直方向的电阻率;在纯度较低的多晶硅中,金属杂质易在晶界处偏析,形成金属硅化物相,降低了多晶硅材料的电阻率.

关键词:多晶硅; 冶金法; 电阻率; 晶界; 金属硅化物;

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