隔离器用羰基铁系微波吸收材料的硅烷偶联剂改性
来源期刊：功能材料与器件学报2010年第4期
论文作者：王向楠 彭承敏 徐光亮 李扬兴 邓晓东
文章页码：335 - 340
关键词：羰基铁;硅烷偶联剂;表面改性;吸收体;隔离器;
摘 要：用硅烷偶联剂（KH-560）对羰基铁粉表面进行改性,以环氧树脂为基体、改性前后的羰基铁粉为吸收剂制备复合微波吸收材料。采用热重、红外光谱等手段对改性后的粉体进行了表征;对试制的羰基铁粉/环氧树脂复合材料的体电阻率、击穿强度、吸收损耗进行了测试,对使用该材料的隔离器性能进行了研究。结果表明,改性羰基铁粉在树脂中分散性较好,颗粒之间的绝缘程度得到提高,改性后制备的吸收体,击穿强度达700V/mm,体电阻率为4.99×108Ω.cm,618GHz频率范围内吸收损耗在1.87.8dB/mm之间。618GHz边导模隔离器负载中使用该材料,器件驻波比≤1.6时,插入损耗≤1.2,隔离度≥11dB,相对带宽为100%。
王向楠1，彭承敏2，徐光亮1，李扬兴2，邓晓东1
1. 西南科技大学新材料研究所材料科学与工程学院2. 西南磁学应用研究所
摘 要：用硅烷偶联剂（KH-560）对羰基铁粉表面进行改性,以环氧树脂为基体、改性前后的羰基铁粉为吸收剂制备复合微波吸收材料。采用热重、红外光谱等手段对改性后的粉体进行了表征;对试制的羰基铁粉/环氧树脂复合材料的体电阻率、击穿强度、吸收损耗进行了测试,对使用该材料的隔离器性能进行了研究。结果表明,改性羰基铁粉在树脂中分散性较好,颗粒之间的绝缘程度得到提高,改性后制备的吸收体,击穿强度达700V/mm,体电阻率为4.99×108Ω.cm,618GHz频率范围内吸收损耗在1.87.8dB/mm之间。618GHz边导模隔离器负载中使用该材料,器件驻波比≤1.6时,插入损耗≤1.2,隔离度≥11dB,相对带宽为100%。
关键词：羰基铁;硅烷偶联剂;表面改性;吸收体;隔离器;
