AgInS2量子点研究进展
来源期刊：功能材料2014年第4期
论文作者：谢翠萍 向卫东 骆乐 钟家松 赵斌宇 梁晓娟
文章页码：4009 - 4016
关键词：AgInS2;半导体;量子点;研究进展;
摘 要：Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展,讨论了其存在的问题并对今后的研究进行了展望。
谢翠萍1，向卫东1,2，骆乐1，钟家松1，赵斌宇1，梁晓娟2
1. 同济大学材料科学与工程学院2. 温州大学化学与材料工程学院
摘 要：Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族新型三元半导体量子点AgInS2,不仅具备了量子点所具有的优异性能,同时以其低毒环保的优点,在近年来取得了重大的研究进展,有望取代Cd系量子点在各领域的应用。通过对国内外最新研究成果进行总结,概述了AgInS2量子点的研究进展,讨论了其存在的问题并对今后的研究进行了展望。
关键词：AgInS2;半导体;量子点;研究进展;
