SPS法制备的赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2)电学性能
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年第9期
论文作者：修伟杰 崔教林 薛海峰
关键词：赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x; 放电等离子烧结(SPS); 电学性能;
摘 要：采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能.结果表明,在318 K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104 Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的2倍,而Seebeck系数没有明显下降.从所测得的α和σ值可知,赝二元(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的功率因子最大,为2.1×10-3(W·K-2·m-1),是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.5倍.
修伟杰1，崔教林2，薛海峰1
(1.中国矿业大学,江苏,徐州,221008;
2.宁波工程学院,浙江,宁波,315016)
摘要:采用放电等离子烧结(SPS)方法制备了赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0～0.2),并研究其电学性能.结果表明,在318 K时(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的电导率为3.7×104 Ω-1·m-1,是三元合金Bi0.5Sb1.5Te3的2倍,而Seebeck系数没有明显下降.从所测得的α和σ值可知,赝二元(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x(x=0.1)合金的功率因子最大,为2.1×10-3(W·K-2·m-1),是三元Bi0.5Sb1.5Te3合金的1.5倍.
关键词:赝二元合金(Ga2Te3)x-(Bi0.5Sb1.5Te3)1-x; 放电等离子烧结(SPS); 电学性能;
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