P型稀磁半导体材料的居里温度

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2010年第5期

论文作者：关玉琴 陈余 赵春旺

文章页码：521 - 524

关键词：稀磁半导体;居里温度;掺杂浓度;反铁磁性交换作用;

摘    要：稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注。本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度。计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高。在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加。该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考。