镍钼修饰的p型硅电极材料的制备和性能
来源期刊：材料研究学报2002年第1期
论文作者：姚素薇 龚正烈 赵转清 张卫国
关键词：Ni-Mo/p-Si; 纳米晶; 催化析氢; 光照;
摘 要：在半导体p型Si上恒电流沉积纳米晶和非晶Ni-Mo合金薄膜.制备出Ni-Mo合金修饰的半导体p型Si电极镀层,用SEM对膜层进行了表征.测量了两种电极镀层的阴极催化析氢曲线.纳米晶Ni-Mo/p-Si镀层的催化析氢性能较好测量了光照下纳米晶Ni-Mo/p-Si电极的催化析氢曲线.结果表明.Ni-Mo颗粒尺寸在40～100mm时.光照下电极的析氢过电位比无光照减小了约160mV(电流密度为8 mA.cm-2),催化析氢活性显著提高
姚素薇1，龚正烈2，赵转清1，张卫国1
(1.天津大学;
2.天津理工学院)
摘要:在半导体p型Si上恒电流沉积纳米晶和非晶Ni-Mo合金薄膜.制备出Ni-Mo合金修饰的半导体p型Si电极镀层,用SEM对膜层进行了表征.测量了两种电极镀层的阴极催化析氢曲线.纳米晶Ni-Mo/p-Si镀层的催化析氢性能较好测量了光照下纳米晶Ni-Mo/p-Si电极的催化析氢曲线.结果表明.Ni-Mo颗粒尺寸在40～100mm时.光照下电极的析氢过电位比无光照减小了约160mV(电流密度为8 mA.cm-2),催化析氢活性显著提高
关键词:Ni-Mo/p-Si; 纳米晶; 催化析氢; 光照;
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