掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究
来源期刊：功能材料与器件学报2003年第2期
论文作者：韩高荣 张溪文
关键词：非晶硅薄膜; 硼掺杂; 等离子增强化学气相沉积;
摘 要：以硅烷 (SiH4)和硼烷 (B2H6)为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜. X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导 测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比; 硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大,薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米 硅,最后发展为多晶硅.红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的 复合体,仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献.
韩高荣1，张溪文1
(1.浙江大学,硅材料科学国家重点实验室,杭州,310027)
摘要:以硅烷 (SiH4)和硼烷 (B2H6)为气相反应先驱体,采用等离子体增强化学气相沉积法 (PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜. X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导 测试表明,一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比; 硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大,薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米 硅,最后发展为多晶硅.红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的 复合体,仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献.
关键词:非晶硅薄膜; 硼掺杂; 等离子增强化学气相沉积;
【全文内容正在添加中】
