石墨表层对四面体非晶炭膜中受激电子的石墨建序化作用
来源期刊：新型炭材料2008年第3期
论文作者：梁士金
关键词：炭膜; 表面; 等离子体; 石墨化; Carbon films; Surface; Plasma; Graphitization;
摘 要：对渗气阴极真空电弧法制备的四而体非晶炭(ta-c)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化.应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的淌除(程度).样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故.
梁士金1
(1.Department of Applied Physics, The University of Tokyo, Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan)
摘要:对渗气阴极真空电弧法制备的四而体非晶炭(ta-c)膜实施氧等离子体刻蚀,消除其表面石墨层后,发现:原沉积膜中ta-C石墨表层的消除会影响其受激电子的石墨建序化.应用发射电子能耗谱,表面增强拉曼光谱和表面敏化X光吸收光谱等测量方法,测定了其表层的淌除(程度).样品的氧等离子体刻蚀阻迟了受激电子的石墨化作用,可能归因于多相成核过程中石墨晶核的缺失之故.
关键词:炭膜; 表面; 等离子体; 石墨化; Carbon films; Surface; Plasma; Graphitization;
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