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Zr-Si-N扩散阻挡层及其热稳定性的研究

来源期刊：稀有金属材料与工程2005年第3期

论文作者：陈华徐可为宋忠孝丁黎

关键词：Zr-Si-N; 扩散阻挡层; 热稳定性;

摘要：用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层,结果表明:Zr-Si-N膜的Si含量、电阻率随偏压的升高而降低;Zr-Si-N膜的晶体相随溅射偏压的升高而增加;Zr-Si-N扩散阻挡层的热稳定性高,在850℃时仍能有效阻挡Cu的扩散.

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陈华¹，徐可为¹，宋忠孝¹，丁黎²

(1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049;
2.山东省临沂市兰山区金雀山办事处,山东,临沂,276000)

摘要:用反应磁控溅射法在不同偏压下沉积了Zr-Si-N扩散阻挡层,结果表明:Zr-Si-N膜的Si含量、电阻率随偏压的升高而降低;Zr-Si-N膜的晶体相随溅射偏压的升高而增加;Zr-Si-N扩散阻挡层的热稳定性高,在850℃时仍能有效阻挡Cu的扩散.

关键词:Zr-Si-N; 扩散阻挡层; 热稳定性;

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