生长温度对GaxIn1-xP材料无序度的影响及其应用
来源期刊：材料科学与工程学报2016年第5期
论文作者：常晓阳 尧舜 张杨 陈丙振 张奇灵 王智勇
文章页码：694 - 697
关键词：GaxIn1-xP;无序度;生长温度;太阳能电池;
摘 要：采用金属有机化合物气相外延技术（MOCVD）,在Ge衬底上生长GaxIn1-xP外延层,探究不同生长温度对GaxIn1-xP材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪（XRD）与光致发光测试仪（PL）对外延材料进行测试,并修正由GaxIn1-xP材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高GaxIn1-xP材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。
常晓阳1，尧舜1，张杨1,2，陈丙振1,2，张奇灵1，王智勇1
1. 北京工业大学激光工程研究院
摘 要：采用金属有机化合物气相外延技术（MOCVD）,在Ge衬底上生长GaxIn1-xP外延层,探究不同生长温度对GaxIn1-xP材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪（XRD）与光致发光测试仪（PL）对外延材料进行测试,并修正由GaxIn1-xP材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高GaxIn1-xP材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。
关键词：GaxIn1-xP;无序度;生长温度;太阳能电池;
