射频磁控溅射法制备(100)择优取向Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜
来源期刊：稀有金属2006年第3期
论文作者：李弢 谢波玮 古宏伟
关键词：射频磁控溅射; 铁电薄膜; BST;
摘 要：用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt/Ti/SiO2/Si(100)基体上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜.通过引入溅射因子α,在相同工艺条件(高温大功率溅射)下,对靶材成分进行调整,使薄膜成分无化学计量比偏离.薄膜成相较未调整前有显著改善,低角区的衍射杂峰消失.{100}方向有择优生长,同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同,研究认为是成分调整后,薄膜成分无偏离所致.
李弢1，谢波玮1，古宏伟1
(1.北京有色金属研究总院超导材料研究中心,北京,100088)
摘要:用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt/Ti/SiO2/Si(100)基体上制备了Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜.通过引入溅射因子α,在相同工艺条件(高温大功率溅射)下,对靶材成分进行调整,使薄膜成分无化学计量比偏离.薄膜成相较未调整前有显著改善,低角区的衍射杂峰消失.{100}方向有择优生长,同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同,研究认为是成分调整后,薄膜成分无偏离所致.
关键词:射频磁控溅射; 铁电薄膜; BST;
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