掺杂单层MoS₂电子结构的第一性原理计算

来源期刊：材料工程2016年第12期

论文作者：伏春平

文章页码：80 - 83

关键词：MoS2;能带结构;态密度;掺杂;第一性原理;

摘    要：采用第一性原理研究Cu,Ag,Au掺杂单层MoS₂的键长畸变、能带结构和态密度。探讨Cu,Ag,Au掺杂对单层MoS₂电子结构的影响。结果表明:Cu,Ag,Au在S位掺杂的杂质能都低于在Mo位掺杂的杂质能,其在S位掺杂的体系的稳定性强于在Mo位掺杂的体系。在S位掺杂时,杂质与最近邻的Mo,S原子的键长都发生了畸变,畸变率最大的是dAu-Mo,达23.8%。与单层MoS₂的超胞相比,掺杂体系的禁带中出现了4条新能级,导带和价带的能量向低能区移动。杂质原子周围存在着电荷聚集,同时也存在电荷损失。