聚对苯撑导电膜的合成及其电化学性能

来源期刊：材料科学与工程学报2013年第4期

论文作者：梁成浩 陈婉 黄乃宝

文章页码：503 - 507

关键词：电化学合成;聚对苯撑膜;循环伏安;交流阻抗;

摘    要：本文采用电化学循环伏安法制备得到聚对苯撑（PPP）导电膜,通过FTIR、XPS、四探针、交流阻抗（EIS）等手段对其结构及电性能进行表征,并考察了电化学条件与聚对苯撑膜的电化学性能之间的关系。研究表明,合成的PPP膜的平均聚合度为10.8,电导率在2.0～5.0S/cm范围内。于0.6V恒电位10min后,PPP膜的掺杂量可达25%。在0～1.0V电位范围内,PPP膜具有良好的电化学氧化还原性。交流阻抗的进一步研究表明,随着外加电位的正移,聚对苯撑膜的掺杂程度提高,膜的Rct由0V的329.7Ωcm2降低至0.6V的15.60Ωcm2,Cdl由0V的1.164μFcm-2增至0.6V的172.7μF cm-2。膜反应电阻和双电层电容的变化表明PPP膜在掺杂过程中形成开放结构,便于溶液中的离子与溶剂交换。