化学共沉淀-离子交换法制备掺锡三氧化二铟纳米晶体
来源期刊：有色金属2007年第4期
论文作者：朱协彬 陈海清 段学臣
关键词：材料合成与加工工艺; ITO; 共沉淀; 离子交换;
摘 要：用化学共沉淀法结合离子交换法,以InCl3溶液和SnCl4·5H2O为原料,制备ITO粉体.对ITO前驱体进行TGDTA分析,用TEM和XRD等对ITO粉体的形貌、物相和粒度进行表征,探讨煅烧温度和掺锡量对粉体物相、粒度和导电性能的影响.结果表明,在煅烧温度332℃以上发生晶型转变.获得立方In2O3结构的球形纳米ITO粉体,具有纯度高、粒度均匀、分散性好等特点.在700℃掺Sn量为10%时.晶形结构完善,晶粒粒度最小,粉体电阻最小,导电性能最好.通过团聚系数可以判断粉体的团聚情况,团聚系数越小,粉体分散性越好.
朱协彬1，陈海清3，段学臣2
(1.安徽工程科技学院,安徽芜湖,241000;
2.中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083;
3.湖南有色金属研究院,长沙,410015)
摘要:用化学共沉淀法结合离子交换法,以InCl3溶液和SnCl4·5H2O为原料,制备ITO粉体.对ITO前驱体进行TGDTA分析,用TEM和XRD等对ITO粉体的形貌、物相和粒度进行表征,探讨煅烧温度和掺锡量对粉体物相、粒度和导电性能的影响.结果表明,在煅烧温度332℃以上发生晶型转变.获得立方In2O3结构的球形纳米ITO粉体,具有纯度高、粒度均匀、分散性好等特点.在700℃掺Sn量为10%时.晶形结构完善,晶粒粒度最小,粉体电阻最小,导电性能最好.通过团聚系数可以判断粉体的团聚情况,团聚系数越小,粉体分散性越好.
关键词:材料合成与加工工艺; ITO; 共沉淀; 离子交换;
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