磁控反应溅射制备GexC1-x薄膜的特殊性分析
来源期刊：材料工程2000年第10期
论文作者：于忠奇 耿东生 宋建全 郑修麟 刘正堂
关键词：沉积速率; 磁控反应溅射; 靶中毒; 原子百分比;
摘 要：利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.
于忠奇1，耿东生1，宋建全1，郑修麟1，刘正堂1
(1.西北工业大学,西安,710072)
摘要:利用射频磁控反应溅射法,以Ar,CH4为原料气体,在较宽的工艺参数范围内制备出了GexC1-x薄膜,用干涉法测量了薄膜的厚度,对GexC1-x薄膜的沉积速率和Ge原子百分比进行了研究.结果表明,GexC1-x薄膜的沉积速率并没有随着靶中毒后而显著下降,甚至略有提高,而且Ge原子百分比可以任意变化,表现出与通常磁控反应溅射法不同的特征,这与靶中毒之后反应气体粒子在靶面和基片上的反应特点有关.这一结论对磁控反应溅射法制备碳化物有普遍意义.
关键词:沉积速率; 磁控反应溅射; 靶中毒; 原子百分比;
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