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低介电常数硅基薄膜后处理的研究进展

来源期刊：绝缘材料2010年第3期

论文作者：何志巍

文章页码：38 - 88

关键词：低介电常数;纳米多孔材料;硅基氧化物;溶胶-凝胶;

摘要：综述了近年来国际上低介电常数纳米多孔SiOx薄膜材料的发展状况,重点论述了其后处理原理及工艺、材料结构特点及存在的缺陷,分类指出了后处理方法对材料改性的影响及存在的问题,同时提出了未来的研究方向和发展前景。

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何志巍

中国农业大学理学院应用物理系

关键词：低介电常数;纳米多孔材料;硅基氧化物;溶胶-凝胶;