K-Si掺杂钼中的弥散相成分
来源期刊：中国钼业1994年第3期
论文作者：钟培全
摘 要：K-Si掺杂钼丝在高真空中2300K下再结晶后，其剩余电阻率远比来掺杂钼丝大，这表明其基体内溶入了相当部分的Si添加剂。1800K下吸收氧，而Si（和Al）就会以氧化物形式析出。根据K2OSiO2－Al2O3系相图，溶入钼中的Si和Al在氧化反应时会化合成掺杂物相。结果认为，掺杂态细钼丝和钼片（板）中的掺杂物相成分主要与其温度和气氛分压的高低有关。
钟培全
摘 要：K-Si掺杂钼丝在高真空中2300K下再结晶后，其剩余电阻率远比来掺杂钼丝大，这表明其基体内溶入了相当部分的Si添加剂。1800K下吸收氧，而Si（和Al）就会以氧化物形式析出。根据K2OSiO2－Al2O3系相图，溶入钼中的Si和Al在氧化反应时会化合成掺杂物相。结果认为，掺杂态细钼丝和钼片（板）中的掺杂物相成分主要与其温度和气氛分压的高低有关。
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