高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响

来源期刊：稀有金属2012年第1期

论文作者：李宗峰 周旗钢 何自强 冯泉林 杜娟 刘斌

文章页码：120 - 123

关键词：直拉硅单晶;大直径;空洞型微缺陷;晶体原生粒子缺陷;高温退火;

摘    要：研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多。然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0～10μm。因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小。