脉冲激光沉积法制备β-FeSi₂半导体薄膜

来源期刊：材料导报2011年第16期

论文作者：马玉英 刘爱华 许士才 郭进进 侯娟 满宝元

文章页码：23 - 26

关键词：β-FeSi2薄膜;PLD;光致发光;3D显微分析;

摘    要：采用脉冲激光沉积（PLD）法在p型Si（100）衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si（100）衬底上沿（202/220）方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。