AlN-堇青石玻璃复合材料的介电性能

陈国华^1,2，刘心宇^1,2

1. 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系2. 桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室

摘 要：为了研究热压温度和AlN含量对AlN-堇青石玻璃复合材料烧结和介电性能的影响,采用真空热压方法在900¹000℃低温烧结制备AlN-堇青石玻璃复合材料.利用X射线衍射、扫描电镜和阻抗分析仪对复合材料的微结构和介电性能进行了研究.结果表明,随着热压温度的提高,复合材料的相对密度增加,复合材料的介电常数和介电损耗减少;在一定的热压温度下,复合材料的介电常数和介电损耗随着AlN引入量的增加而增加.从复合材料的相组成和结构角度对以上结果予以解释,提高热压温度和增加α-堇青石数量均有利于降低复合材料的介电常数和介电损耗.制备的复合材料具有低的介电常数（5.6⁶.5）和低的介电损耗（≤10-3）,有望用于微电子封装领域.

关键词：AlN;堇青石玻璃;复合材料;真空热压;介电性能;