棒状氧化镓的合成和发光性质研究
来源期刊：功能材料2008年第4期
论文作者：张士英 李保理 庄惠照 薛成山
关键词：β-Ga2O3 棒; 磁控溅射; 光致发光;
摘 要：利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射Mo中间层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β-Ga2O3.X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明,制备的样品为β-Ga2O3.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,合成的棒具有直而光滑的表面,其直径在70～200nm左右.室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射.另外,简单讨论棒状β-Ga2O3的生长机制.
张士英1，李保理1，庄惠照1，薛成山1
(1.山东师范大学,物理与电子科学学院,半导体研究所,山东,济南,250014)
摘要:利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射Mo中间层,再溅射Ga2O3薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维棒状β-Ga2O3.X射线衍射、选区电子衍射和能量弥散谱的分析结果表明,制备的样品为β-Ga2O3.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,合成的棒具有直而光滑的表面,其直径在70～200nm左右.室温光致发光谱显示出两个较强的蓝光发射.另外,简单讨论棒状β-Ga2O3的生长机制.
关键词:β-Ga2O3 棒; 磁控溅射; 光致发光;
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