磁控溅射法制备V掺杂Cu3N薄膜研究
来源期刊：功能材料2015年第4期
论文作者：黄赛佳 侯雨轩 侍宇雨 王志姣 杨柳青 杨建波 李兴鳌
文章页码：4057 - 8125
关键词：Cu3N;V掺杂;磁控溅射;反射率;电阻率;
摘 要：利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
黄赛佳，侯雨轩，侍宇雨，王志姣，杨柳青，杨建波，李兴鳌
南京邮电大学材料科学与工程学院
摘 要：利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
关键词：Cu3N;V掺杂;磁控溅射;反射率;电阻率;
