用烟煤合成SiC的研究
来源期刊:煤炭学报2000年第4期
论文作者:何恩广 陈寿田 王晓刚
关键词:碳化硅合成; 烟煤; 微观结构; 挥发分; 反应活性;
摘 要:用3种烟煤与SiO2在氮气保护下合成SiC,发现烟煤可以作为碳源合成SiC,但不同烟煤煤种合成产物差别很大.研究表明,烟煤的挥发分含量及其焦炭的微观结构(如孔隙率大小、气孔形貌和比表面积等)是影响反应系统内物质生成的关键因素.在1 200~1 600 ℃温度范围内研究了3种烟煤的挥发分含量和焦炭微观结构的差异及其对合成SiC反应体系的影响.
何恩广1,陈寿田1,王晓刚2
(1.西安交通大学,电力设备与电气绝缘国家重点实验室,陕西,西安,710049;
2.西安科技学院,材料工程系,陕西,西安,710054)
摘要:用3种烟煤与SiO2在氮气保护下合成SiC,发现烟煤可以作为碳源合成SiC,但不同烟煤煤种合成产物差别很大.研究表明,烟煤的挥发分含量及其焦炭的微观结构(如孔隙率大小、气孔形貌和比表面积等)是影响反应系统内物质生成的关键因素.在1 200~1 600 ℃温度范围内研究了3种烟煤的挥发分含量和焦炭微观结构的差异及其对合成SiC反应体系的影响.
关键词:碳化硅合成; 烟煤; 微观结构; 挥发分; 反应活性;
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