InP/InGaAsP异质结ICP刻蚀表面损伤(英文)
来源期刊：功能材料与器件学报2010年第3期
论文作者：董雷 张瑞康 江山 赵圣之 刘水华
文章页码：243 - 248
关键词：等离子体刻蚀;干法刻蚀损伤;感应耦合等离子体;光荧光;
摘 要：本文详细研究了采用Cl2/H2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究。详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl2/H2刻蚀气体组分对损伤程度的影响。基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm。
董雷1,2，张瑞康2，江山2，赵圣之1，刘水华2
1. 山东大学信息科学与工程学院2. 武汉光迅科技公司
摘 要：本文详细研究了采用Cl2/H2刻蚀气体时,ICP刻蚀系统对InP/InGaAsP材料表面损伤的影响。通过设计特殊结构的InP/InGaAsP多量子阱结构,测量刻蚀区域及非刻蚀区域的光荧光强度的变化,并结合高斯深度分布模型对刻蚀损伤进行定量研究。详细研究ICP刻蚀系统中的压强、ICP功率、RF功率以及Cl2/H2刻蚀气体组分对损伤程度的影响。基于这些结果优化得到一组低损伤参数,最终实现刻蚀损伤深度小于16nm。
关键词：等离子体刻蚀;干法刻蚀损伤;感应耦合等离子体;光荧光;
