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SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势

来源期刊：宇航材料工艺2010年第1期

论文作者：李淑娟李言肖强

关键词：SiC单晶片; 化学机械抛光; 粗糙度; 抛光效率; SiC mono-crystal; CMP; Roughness; Polishing efficiency;

摘要：综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

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李淑娟¹，李言¹，肖强²

(1.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安,710048;
2.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048;
3.西安工业大学机电工程学院,西安710032)

摘要:综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望.

关键词:SiC单晶片; 化学机械抛光; 粗糙度; 抛光效率; SiC mono-crystal; CMP; Roughness; Polishing efficiency;

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