ITO薄膜的光电子能谱分析
来源期刊：无机材料学报2000年第1期
论文作者：黄荣芳 陈猛 白雪冬 闻立时 裴志亮
关键词：化学状态; 光电子能谱; Gaussian拟合;
摘 要：运用XPS分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况.研究表明,低温直流磁控反应溅射ITO薄膜退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以两种化合状态O I和O II存在,其结合能值分别为529.90±0.30 eV和531.40±0.20 eV,分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比R O_I/O II从薄膜表面到体内逐渐增大.退火后薄膜表面的R O_I/O II小于未退火薄膜表面的R O_I/O II;经Ar+刻蚀20min后,退火薄膜体内的R O_I/O II大于未退火薄膜体内的R O_I/O II.这些结果表明,ITO薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层.
黄荣芳1，陈猛1，白雪冬1，闻立时1，裴志亮1
(1.中国科学院金属研究所,沈阳,110015)
摘要:运用XPS分析了ITO薄膜真空退火前后各元素化学状态的变化情况.研究表明,低温直流磁控反应溅射ITO薄膜退火前后Sn和In处于各自相同的化学状态中.O以两种化合状态O I和O II存在,其结合能值分别为529.90±0.30 eV和531.40±0.20 eV,分别对应着氧充足和氧缺乏状态.两者面积之比R O_I/O II从薄膜表面到体内逐渐增大.退火后薄膜表面的R O_I/O II小于未退火薄膜表面的R O_I/O II;经Ar+刻蚀20min后,退火薄膜体内的R O_I/O II大于未退火薄膜体内的R O_I/O II.这些结果表明,ITO薄膜中氧缺位状态主要分布在薄膜表层.
关键词:化学状态; 光电子能谱; Gaussian拟合;
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