GaN MOCVD生长机制的量子化学计算
来源期刊：材料导报2007年第9期
论文作者：谢自力 韩平 张禹 张荣 王克昌
关键词：GaN; MOCVD; 量子化学计算; 生长模型;
摘 要：综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义.
谢自力1，韩平1，张禹1，张荣1，王克昌3
(1.南京大学物理系,南京,210093;
2.江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;
3.北京科技大学物理系,北京,100083)
摘要:综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义.
关键词:GaN; MOCVD; 量子化学计算; 生长模型;
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