GaN基发光二极管透明导电层与n-GaN方阻的匹配研究
来源期刊：材料导报2015年第S1期
论文作者：汪延明 付宏威 徐林炜 苗振林 梁智勇 许亚兵 戚运东
文章页码：229 - 232
关键词：发光二极管;方阻;电流扩展;匹配;
摘 要：研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响,结果表明,在一定电极图形设计下,当ITO方阻大于n-GaN层方阻时,电流朝P电极附近集中,当ITO方阻小于n-GaN层方阻时,电流朝N电极附近集中,只有在ITO与n-GaN方阻接近时,芯片电流扩展才最佳。
汪延明，付宏威，徐林炜，苗振林，梁智勇，许亚兵，戚运东
摘 要：研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响,结果表明,在一定电极图形设计下,当ITO方阻大于n-GaN层方阻时,电流朝P电极附近集中,当ITO方阻小于n-GaN层方阻时,电流朝N电极附近集中,只有在ITO与n-GaN方阻接近时,芯片电流扩展才最佳。
关键词：发光二极管;方阻;电流扩展;匹配;
