半导体纳米材料Zn(en)3 Se,ZnSe及其光学性能研究
来源期刊：功能材料2005年第9期
论文作者：陈震 郑曦 陈日耀 李国强
关键词：一维纳米材料; 溶剂热法; 金属硫族化合物; 半导体; 光致发光;
摘 要：以有机溶剂热技术制备片状Zn(en)3Se(en为乙二胺)纳米材料,DTG、IR、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键相结合;以制得的纳米Zn(en)3Se为母体,在氮气氛中煅烧至980℃,热分解制得棒状纳米ZnSe;以TEM、ED初步研究了两者的形貌、结构;以提拉法分别将Zn(en)3Se、ZnSe纳米材料涂布在ITO导电玻璃上,制得纳米颗粒/ITO复合膜,并研究其光学特性.结果表明,Zn(en)3Se属立方晶系,呈片状结构;ZnSe属六方纤锌矿型,棒直径在40nm左右;可能的生长机理是乙二胺作为模板分子,首先嵌入到ZnSe无机结构框架中,接着受热分解逃逸出无机框架形成一维纳米棒.PL分析表明Zn(en)3Se的荧光红移至448nm处.
陈震1，郑曦1，陈日耀1，李国强1
(1.福建师范大学,化学与材料学院,福建,福州,350007)
摘要:以有机溶剂热技术制备片状Zn(en)3Se(en为乙二胺)纳米材料,DTG、IR、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键相结合;以制得的纳米Zn(en)3Se为母体,在氮气氛中煅烧至980℃,热分解制得棒状纳米ZnSe;以TEM、ED初步研究了两者的形貌、结构;以提拉法分别将Zn(en)3Se、ZnSe纳米材料涂布在ITO导电玻璃上,制得纳米颗粒/ITO复合膜,并研究其光学特性.结果表明,Zn(en)3Se属立方晶系,呈片状结构;ZnSe属六方纤锌矿型,棒直径在40nm左右;可能的生长机理是乙二胺作为模板分子,首先嵌入到ZnSe无机结构框架中,接着受热分解逃逸出无机框架形成一维纳米棒.PL分析表明Zn(en)3Se的荧光红移至448nm处.
关键词:一维纳米材料; 溶剂热法; 金属硫族化合物; 半导体; 光致发光;
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