高温度梯度定向凝固单相Mg2Sn合金的制备及其热电性能
来源期刊:稀有金属材料与工程2020年第7期
论文作者:李鑫 谢辉 张亚龙 魏鑫
文章页码:2436 - 2443
关键词:晶体生长;高温度梯度定向凝固;热电性能;Mg2Sn;
摘 要:高温度梯度(180K/cm)定向凝固方法可制备单相Mg2Sn晶体,通过凝固理论对平-胞转换临界速率进行了计算,并预测了单相Mg2Sn晶体的生长距离,与试验结果相吻合。此方法获得的Mg2Sn晶体由于去除了第二相Sn的影响,可以获得更好的热电性能,在测试温度区间300~700K内,未掺杂条件下最大Seebeck系数和电导率值分别可达-261μV·K-1和525?-1·m-1,通过Bi掺杂来对电导率进行优化后,功率因子最高可达2.29 mW·(m·K2)-1。单相Mg2Sn晶体的热导率也得到大幅降低,500 K时,最小值为4.3 W·(m·K)-1,Bi掺杂量为1.5%(原子分数)时,热电优值ZT最高可达到0.21。这一方法可以为制备高性能的Mg2BIV体系三元固溶体合金提供参考。
李鑫,谢辉,张亚龙,魏鑫
西安航空学院
摘 要:高温度梯度(180K/cm)定向凝固方法可制备单相Mg2Sn晶体,通过凝固理论对平-胞转换临界速率进行了计算,并预测了单相Mg2Sn晶体的生长距离,与试验结果相吻合。此方法获得的Mg2Sn晶体由于去除了第二相Sn的影响,可以获得更好的热电性能,在测试温度区间300~700K内,未掺杂条件下最大Seebeck系数和电导率值分别可达-261μV·K-1和525?-1·m-1,通过Bi掺杂来对电导率进行优化后,功率因子最高可达2.29 mW·(m·K2)-1。单相Mg2Sn晶体的热导率也得到大幅降低,500 K时,最小值为4.3 W·(m·K)-1,Bi掺杂量为1.5%(原子分数)时,热电优值ZT最高可达到0.21。这一方法可以为制备高性能的Mg2BIV体系三元固溶体合金提供参考。
关键词:晶体生长;高温度梯度定向凝固;热电性能;Mg2Sn;